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以碳化硅（SiC）和III族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、高效能的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，紫外 光电二极管，具有显著的材料性能优势。其中SiC材料体系中的4H-SiC半导体，其禁带宽度为3.23 eV，是制备可见光盲紫外探测器（响应边<400 nm）的优选材料；而III族氮化物体系的(Al)GaN材料，其带宽可随Al组分的变化在3.4～6.2 eV之间连续改变，对应光吸收波长变化范围为200~365 nm，覆盖了大气臭氧层吸收日盲区（240~280 nm），特别适合制备新一代的日盲深紫外探测器（见下图）。基于宽禁带半导体的光电传感器器与传统的硅基紫外传感器相比具有明显的优势。主要优点包括：1.更高的灵敏度；2.可直接实现可见光盲或日盲操作、*加增滤光片；3.可在高温、强辐射等恶劣环境下工作。

红外探测器与紫外探测器用途上用什么区别

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